电源设计10个公式解析

  为整流后的最低直流电压;VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压,一般取10V。

  式中:Ae为磁芯的有效截面积(cm2);△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T);Lp单位取H,IPK单位取A,lg单位为mm。

  反激式变换器功率通常较小,一般都会采用铁氧体磁芯作为变压器磁芯,其功率容量AP为

  式中:AQ为磁芯窗口面积,单位为cm2;Ae为磁芯的有效截面积,单位为cm2;Po是变压器的标称输出功率,单位为W;fs为开关管的 开关频率;Bm为磁芯最大磁感应强度,单位为T;δ为线,η是变压器的转换效率;Km为窗口填充系数, 一般为0.2~0.4;KC为磁芯的填充系数,对于铁氧体为1.0。

  根据求得的AP值选择余量稍大的磁芯,一般尽可能地选择窗口长宽之比较大的磁芯,这样磁芯的窗口有效使用系数较高,同时能减少漏感。

  式中:△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T),Ae单位为cm2,Ts单位为s。

  原、副边绕组电阻值可通过求绕组电阻值R的公式求出,当求原边绕组铜耗时,电流用原边峰值电流IPK来计算;求副边绕组铜耗时,电流用输出电流Io来计算。

  磁芯损耗取决于工作频率、工作磁感应强度、电路工作状态和所选用的磁芯材料的性能。对于双极性开关变压器,磁芯损耗PC:

  式中:Pb为在工作频率、工作磁感应强度下单位质量的磁芯损耗(W/kg); Gc为磁芯质量(Kg)。

  对于单极性开关变压器,由于磁芯工作于磁滞回线的半区,所以磁芯损耗约为双极性开关变压器的一半。变压器总损耗为总铜耗与磁芯损耗之和。

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