Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源极和漏极。当门极上施加的电压高于时，门极氧化层下面就形成了强反型层沟道。这时再给漏源极之间施加一个正压，

  功率MOSFET为维持较高的击穿电压，将漏极放在芯片背面，整个漂移层承受电压。功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计人员总是要千方百计地降低导通电阻，进而降低器件损耗。对于高压硅基功率器件来说，为维持比较高的击穿电压，通常要使用较低掺杂率以及比较宽的漂移区，因此漂移区电阻在总电阻中占比较大。碳化硅材料临界电场强度约是硅的10倍，因此碳化硅器件的漂移区厚度可以大幅度降低。对于1200V及以下的碳化硅器件来说，沟道电阻的成为总电阻中占比最大的部分。因此，减少沟道电阻是优化总电阻的关键所在。

  从上式能够准确的看出，沟道电阻和沟道电子迁移率（μn,channel）成反比。沟道形成于SiO2界面处，因此SiO2界面质量对于沟道电子迁移率有直接的影响。通俗一点说，电子在沟道中流动，好比汽车在高速上行驶。路面越平整，车速就越快。如果路面全是坑，汽车就必须减速。而不幸的是，碳化硅材料形成的SiC-SiO2界面，缺陷密度要比Si-SiO2高得多。这些缺陷在电子流过会捕获电子，电子迁移率下降，从而沟道电阻率上升。

  平面型器件如何来解决这个问题呢？再看一下沟道电阻的公式，能够正常的看到有几个简单粗暴的办法：提高栅极电压Vgs，或者降低栅极氧化层厚度，或者降低阈值电压Vth。前两个办法，都会提高栅极氧化层中的电场强度，但太高的电场强度不利于器件的长期可靠性(栅氧化层的击穿电压一般是10MV/cm，但4MV/cm以上的场强就会提高器件长期潜在失效率)。如果器件的阈值电压Vth太低，在实际开关过程中，易发生寄生导通。更严重的是，阈值电压Vth会随着温度的升高而降低，高温下的寄生导通问题会更明显。

  好像进入到一个进退两难的境地了？别忘了，碳化硅是各向异性的晶体，不同的晶面，其态密度也是不一样的。英飞凌就找到了一个晶面，这个晶面与垂直方向有4°的夹角，在这个晶面上生长SiO2, 得到的缺陷密度是最低的。这个晶面接近垂直于表面，于是，英飞凌祖传的”挖坑”手艺，就派上用场了。CoolSiC™ MOSFET也就诞生了。需要强调一下，不是所有的沟槽型MOSFET都是CoolSiC™! CoolSiC™是英飞凌碳化硅产品的商标。CoolSiC™ MOSFET具有下图所示非对称结构。

  首先，垂直晶面缺陷密度低，沟道电子迁移率高。所以，我们大家可以使用相对比较厚的栅极氧化层，同样实现很低的导通电阻。因为氧化层的厚度比较厚，不论开通还是关断状态下，它承受的场强都比较低，所以器件可靠性和寿命都更高。下图比较了英飞凌CoolSiC™ MOSFET与硅器件，以及其它品牌SiC MOSFET的栅氧化层厚度对比。能够正常的看到，CoolSiC™ MOSFET 栅氧化层厚度为70nm，与Si器件相当。而其它平面型SiC MOSFET栅氧化层厚度最大仅为50nm。如果施加同样的栅极电压，平面型的SiC MOSFET栅氧化层上的场强就要比沟槽型的器件增加30%左右。

  而且，CoolSiC™ MOSFET阈值电压约为4.5V，在市面上属于比较高的值。这样做的好处是在桥式应用中，不容易发生寄生导通。下图比较了英飞凌CoolSiC™ MOSFET与其它竞争对手的阈值电压，以及在最恶劣工况下，由米勒电容引起的栅极电压过冲。如果米勒电压过冲高于阈值电压，意味着有几率发生寄生导通。英飞凌CoolSiC™ 器件的米勒电压低于阈值电压，实际应用中一般不需要米勒钳位，节省驱动电路设计时间与成本。

  要说给人挖坑容易，给SiC“挖坑”，可就没那么简单了。碳化硅莫氏硬度9.5，仅次于金刚石。在这么坚硬的材料上不光要挖坑，还要挖得光滑圆润。这是因为，沟槽的倒角处，是电场最容易集中的地方，CoolSiC™ 不光完美处理了倒角，还上了双保险，在沟槽一侧设置了深P阱。在器件承受反压时，深P阱可以包裹住沟槽的倒角，从而减轻电场集中的现象。

  深P阱的另一个功能，是作为体二极管的阳极。通常的MOSFET体二极管阳极都是由P基区充当，深P阱的注入浓度和深度都高于P基区，可以使体二极管导通压降更低，抗浪涌能力更强。

  好的，CoolSiC™ MOSFET就先介绍到这里了。CoolSiC™ MOSFET不是单纯的沟槽型MOSFET，它在独特的晶面上形成沟道，并且有非对称的深P阱结构，这使得CoolSiC™ MOSFET具有较低的导通电阻，与Si器件类似的可靠性，以及良好的体二极管特性。

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