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  GaN材料原先被用为如蓝色LED等LED类产品的主要的组成原材料，但是由于GaN具有高硬度与高能隙的特性，并且GaN功率元件能在硅基质上成长，在面积与整体成本考量上，也具有比碳化硅元件更划算的可能性。硅基GaN器件更适用于中低压/高频领域。

  与硅基功率半导体市场相比，目前功率GaN市场仍然很小，但因其适用于高性能和高频率解决方案，已显示出巨大的增长潜力。根据Yole最新报告，给出的两种趋势中，“牛市”市场趋势更为积极，事实上，苹果公司对基于GaN技术的无线充电解决方案感兴趣。如果苹果一旦采用功率GaN器件用于电源应用，众多手机公司必将追随，GaN功率市场必然迎来增长。

  随着GaN功率器件产业的发展，慢慢的变多的公司加入GaN产业链，有初创公司EPC、GaN System、Transphorm、Navitas等，这些初创公司大多选择代工厂制造模式，主要使用台积电、Episil或X-FAB作为代工伙伴。行业巨头如英飞凌、安森美、意法半导体、松下和德州仪器采用IDM模式。

  2016年4月，德州仪器发布了将工作电压为600V的GaN FET和驱动器IC集成在一个封装里的“LMG3410”，并提供包括新产品样品在内的开发套件。此次采用的是TI自己开发的GaN FET。

  2018年10月，推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V GaN场效应晶体管，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。

  2018年9月，意法半导体宣布利用CEA Leti的200mm研发线合作开发用于二极管和晶体管的GaN-on-Si技术有望在2019年完成工程样品验证。意法半导体计划在2020年前在法国图尔市的前道晶圆厂建立一条完全满足规定的要求的生产线，包括GaN-on-Si异质外延生产线）美国安森美

  2015年，安森美与Transphorm建立合作伙伴关系，共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用。

  2015年，两家公司已联名推出第一代600 V GaN 级联结构(Cascode)晶体管，采用优化的TO-220封装，易于按照每个客户现有的制板能力而集成。

  EPC是首个推出增强型氮化镓（eGaNTM）FET的公司，可实现对传统功率MOSFET的有效替代；EPC也是增强型GaN功率晶体管的供应商。

  2015年5月，美国Intersil l和EPC合作实现抗辐射GaN功率器件，可满足卫星和其他恶劣环境应用需求。

  2017年3月，EPC推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管，对比前一代的产品，晶体管的尺寸减半，性能显著提升。

  2017年6月，EPC推出200V/55A EPC2046功率晶体管，可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。

  2018年5月，EPC推出350V GaN晶体管EPC2050，体积是对应硅MOSFET尺寸的1/20，应用领域包括太阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动、多级转换器配置。

  2007年成立，以美国加州大学圣塔芭芭拉分校的教授和研究人员为主体，致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，已获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。Transphorm建立了业界第一个，也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线月，Transphorm与富士通半导体的功率器件业务部进行了业务合并，Transphorm负责设计、富士通半导体负责制造并代理销售。

  2015年，Transphorm和安森美建立合作伙伴关系，共同推出基于GAN的电源方案。

  GaN Systems成立于2008年，总部设在加拿大首都渥太华，专注于设计、研发和销售氮化镓功率开关半导体器件，提供100V和650V器件，关键技术是Island技术，台积电代工。

  2014年，成为全世界最早实现氮化镓晶体管器件规模化量产的公司之一，极大的降低了GaN晶体管生产所带来的成本，将GaN在电源转换和控制领域的性能优势转化为商业现实。

  2015年，完成了C轮2000万美元融资，投资人包括加拿大著名的投资机构BDC和来自中国的青云创投。

  2018年7月，推出两款无线W功率放大器[GSWP100W-EVBPA]适用于笔记本电脑、娱乐级无人机、家用辅助机器人、电动工具和多款智能手机的快充等消费类市场。300W功率放大器[GSWP300W-EVBPA]面向工业和运输市场，适用于交付无人机、仓储机器人、医疗设施、工厂自动化、电瓶车和滑板车等应用。

  2013年3月，开始样品供货耐压600V的GaN功率晶体管，此后不断在功率电子及功率器件相关展会上进行展示。

  2016年12月，松下开发出了常闭型工作GaN功率晶体管，耐压为1.7kV，导通电阻仅为1.0mΩcm。同月，松下试制出了使用GaN基GaN功率晶体管，与松下以往Si基板产品相比，将导通电阻（Ron）降至2/3，将输出电荷（Qoss）减至约一半。

  1999年12月成立，IDM企业，原本做硅器件，现转型做GaN、SiC第三代半导体器件。GaN功率器件以600V为主，处于研发阶段。

  2014年9月，英飞凌以30亿美元收购美国国际整流（IR）公司，通过此次并购，英飞凌将取得IR的Si基板GaN功率半导体制造技术。IR于2010年推出了第一批商用化的GaN基iP2010和iP2011，用于多相和POL的DC-DC转换器、开关与服务器等。2013年5月，IR开始Si上GaN器件的商业化。

  2015年3月，英飞凌和松下达成协议，联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）Si基板GaN晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件，推出高能效600V GaN功率器件。松下向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照协议，两家公司均可生产高性能GaN器件。

  2014年由Soitec和法国微/纳米研究中心CEA-Leti共同出资成立，并获得两个机构在材料和技术领域的授权。2015年5月获得第一轮融资270万欧元，以生产GaN功率开关器件。战略合作伙伴包括X-FAB Silicon Foundries和面向200毫米GaN技术和制造的国际研究机构CEA-Leti，TÜVNORD GROUP提供产品质量、测试和可靠性服务。

  2018年7月，Exagan推出G-FET功率晶体管和G-DRIVE智能快速开关解决方案，在一个封装中集成了驱动器和晶体管。

  2010年，企业成立。2011年，VISIC开始低导通电阻GaN开关样品试用，导通电阻最低可达15mΩ，能在500kHz频率、400V负载电压下运行，电流大于30A。

  2007年成立，2011年完成第二轮3亿元融资。已经投资3.8亿元人民币，在昆山建设了中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片。能讯GaN HEMT器件通过级联Si制MOSFET实现常关工作。

  2012年成立，位于苏州纳米城，创始人程凯博士，IMEC海归。生产GaN外延材料，应用于微波射频和电力电子领域；目前已能够给大家提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

  2016年8月成立，由北京大学联合中山大学提供技术支撑，致力于硅基氮化镓功率电子产业化。

  成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS 技术。2017年11月，国内首条8英寸硅基氮化镓生产线V氮化镓功率器件。

  2017年12月，华润微电子对中航（重庆）微电子有限公司完成收购，拥有8英寸硅基氮化镓生产线A GaN功率器件产品，用于电源管理。

  国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线月，杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线月，士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币，在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片（功率半导体芯片及MEMS传感器）生产线英寸兼容先进化合物半导体器件（第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片）生产线。

  2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司奠基仪式在大足高新区举行，项目总投资50亿元，以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主，将打造集氮化镓外延片制造、晶圆制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。

  总体来说，GaN关键技术主要掌握在美、欧、日主要企业手中，国内企业也纷纷进入GaN领域，主要有苏州能讯、苏州晶湛、珠海英诺赛科、江苏华功、重庆华润微、杭州士兰微等企业。国内企业还需加快步伐，掌握核心技术，一旦GaN功率市场打开，不至于落后于国外企业较大差距。

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