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  Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再次生产的能源、工业电力转换领域扩展产品线

  加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚TO-247 封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和TP65H050G4YS FET器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新

  1月12日消息，日前，半导体解决方案供应商瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再次生产的能源、工业电源以及快速充电器/适配器等迅速增加市场的经营事物的规模。据悉，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型

  2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本东京 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月

  Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为用户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性 2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路

  Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计

  2023 年 12月 21日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件，以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实现量产。据悉，印度和中国的两轮和三轮电动车年销量分别超过 1,

  Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能

  全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.近日宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN®场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化镓电源系统模块设计。Transphorm 的 SuperGaN  FET可用在所有拓扑结构，并可提供多种封装形式，支持广泛的功率级，满足多种终端

  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件,助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

  新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管,扩展Transphorm多样化的产品封装组合

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗AI应用的最佳器件

  加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这在某种程度上预示着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可

  Transphorm最新技术白皮书:常闭耗尽型(D-Mode)与增强型(E-Mode)氮化镓晶体管的优势对比

  氮化镓功率半导体产品的全球领先企业Transphorm, Inc.近日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括：1.性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比

  1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这在某种程度上预示着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。

  Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

  新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.近日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首个集成型光伏（PV）系统采用了Transphorm氮化镓平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司的子公司。该集成型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar对系统中所使用的Transphorm的GaN FET器件给予高度评价，认为能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量

  Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

  新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.近日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同种类型的产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够很好的满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的坚固型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类应用领域未来五年的

  加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计的具体方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperG

  Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同种类型的产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再次生产的能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1

  Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一，新推出的WT7162R